大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长

无机材料学报, 2002, 17(4): 685-690. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007

大尺寸 6H-SiC半导体单晶材料的生长

陈之战 ^1, , 肖兵 ^2, , 施尔畏 ^3, , 庄击勇 ^4, , 刘先才 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 国家自然科学基金(51032040) 中国科学院所长基金

关键词：碳化硅单晶 , 晶体生长 , PVT法 , 微管道

Growth of Large 6H-SiC Single Crystals

报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.

参考文献

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