ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

无机材料学报, 2003, 18(1): 11-18. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.01.002

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 ^1, , 张银珠 ^2, , 徐伟中 ^3, , 吕建国 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683) 国家自然科学基金(90101009)

关键词： ZnO薄膜 , p型掺杂 , 特性

Recent Advances in Research on p-Type ZnO

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

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