研究了两类不同条件下生长的Bi4Ge3O12晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辨率也明显变差(改变5%以上).而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辨率基本不变.从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因.
参考文献
[1] | 李培俊,范世驰,等(LI Pei-Jun,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),1991,6(3):257-268. |
[2] | 魏宗英.锗酸铋(BGO)晶体的杂质效应和辐照损伤.博士学位论文.上海:中国科学院上海硅酸盐研究所,1988. |
[3] | Zhu R Y, Zhou T Q, et al. Nucl. Instr. and Meth. A, 1991, 302: 69-75. |
[4] | Gusev V A, Kupriyanov I N, et al. Nucl. Instr. and Meth. A, 2001, 460: 457-464. |
[5] | 徐克尊,等.粒子探测技术,上海:上海科学技术出版社,1981.125. |
[6] | Farukhi M R. International Workshop on Bismuth Germanate, Princeton, 1982. 39-47. |
[7] | 姚连增.晶体生长基础,合肥:中国科学技术大学出版社,1995.471-472. |
[8] | 四川大学物理系教材.晶体学,成都:四川大学编印,1975.402. |
[9] | Barnes R G. J. Crystal Growth, 1984, 69: 248-252. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%