锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

无机材料学报, 2003, 18(3): 590-594. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.013

锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

侯育冬 ^1, , 杨祖培 ^2, , 高峰 ^3, , 屈绍波 ^4, , 田长生 ^5,

1.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

2.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

3.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

4.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

5.西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50002009)

关键词：锰掺杂 , PZN-PZT , 压电性能

Effects of Manganese Addition on Piezoelectric Properties of 0.2PZN-0.SPZT Ceramics

研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系"变硬",εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低.

参考文献

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锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

Effects of Manganese Addition on Piezoelectric Properties of 0.2PZN-0.SPZT Ceramics

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