研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程中原料的晶型转变和Si、C挥发不一致造成晶体沿生长方向存在一个Si/C摩尔比的最大值.晶体中的针孔等缺陷的形成与原料中的杂质和气相组分偏离Si/C＝1摩尔比有关,并通过电子探针得到证实.
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