采用非均相成核法,在晶种上以络合法均匀生长Sn,Sb混合金属氢氧化物,合成了纳米ATO导电粉体.以粉体电阻、粉体粒径为指标进行实验,得到了最佳络合剂.系统研究了合成条件如掺杂浓度,反应温度、pH值、配体/Sb比等对最终粉体导电性能的影响.以TG-DTA、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程.结果表明粉体为四方金红石型结构,平均粒径为10 nm左右,粉体的团聚很少.
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