电镀法制备CoNiMnP永磁薄膜阵列的研究

无机材料学报, 2003, 18(5): 1143-1146. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.05.032

电镀法制备CoNiMnP永磁薄膜阵列的研究

蒋洪川 ^1, , 张金平 ^2, , 张万里 ^3, , 张文旭 ^4, , 彭斌 ^5, , 杨仕清 ^6,

1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

2.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

3.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

4.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

5.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

6.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

基金项目: 国防预研基金(JKA5005)

关键词： CoNiMnP永磁薄膜阵列 , 电镀 , 垂直各向异性

Studies on Electroplating CoNiMnP Permanent Film Arrays

采用光刻和电镀技术在5mm×5mm×0.2mm的硅片上设计并制备了2000个大小为50μm×50μm的CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜阵列,并对该薄膜陈列的组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明:薄膜阵列的组成为:Co90.32wt%、Ni7.83wt%、Mn0.74wt%、P1.11wt%,阵列垂直方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m3;阵列水平方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=53715T,(BH)max=1.585kJ/m3.

参考文献

[1]	Lagorce L K, Brand O, Gallen M. Journal of Microelectromechanical Systems, 1999, 8 (1): 2-9.
[2]	Parhfer S, Gieres G, Wecker J, et al. Journal of Magnetics and Magnetical Materials, 1996, 163:32-38.
[3]	Mehdizadeh S, Dukovic J, Andricacos P C, et al. Journal of Electrochemistry Society, 1993, 140 (2):3497-3505.
[4]	Liakopoulos T M, Zhang Wenjin, Ahn C H. IEEE Transactions on Magnetics. 1996, 32 (5): 5154-5156.
[5]	Cho H J, Ahn C H. Journal of Microelectromechanical Systems, 2002, 11 (1): 78-84.

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