低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

无机材料学报, 2003, 18(6): 1235-1239. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.015

低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

曹明贺 ^1, , 袁俊 ^2, , 周东祥 ^3, , 龚树萍 ^4,

1.清华大学材料科学与工程系,北京,100084

2.清华大学材料科学与工程系,北京,100084

3.华中科技大学电子科学与工程系,武汉,430074

4.华中科技大学电子科学与工程系,武汉,430074

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(715-006-0080) 中国博士后科学基金

关键词：低室温电阻率 , PTCR陶瓷 , 晶界 , 缺陷结构

Defect State in Grain Boundary of Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3 Ceramics with Low Room Temperature Resistivity

用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1 02O3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba0.92Ca0.8Ti1.02O3PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"Ti,Mn'Ti或Al'Ti,V"Ba.

参考文献

[1]	西哲也.チタソバウリム系瓷器半导体の制造方法,特开平4-264702(1992-9-21).
[2]	Heywang W.J.Am.Ceram.Soc.,1994,47(10):484-490.
[3]	Daniels J, Wernicke R. "Defect chemistry and electrical conductivity of doped barium titanate ceramics: Part V . New aspect of an improved PTC model ". Philips Res. Rep., 1976, 31 (6):544-59.
[4]	Yamada A, Chiang Y M. J. Am. Ceram. Soc., 1995, 78 (4): 909-914.
[5]	Cao M H, Zhou D X, Gong S P. Materials Science and Engineering, 2002, B 88: 35-39.
[6]	Cao M H, Zhou D X, Gong S P. Materials Science Edition, 2001, 16 (3): 26-32.
[7]	Lewis G V, Catlow C R A. J. Phys. Chem. Solids., 1986, 47 (1): 89-97.

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Defect State in Grain Boundary of Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3 Ceramics with Low Room Temperature Resistivity

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