磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

无机材料学报, 2003, 18(6): 1381-1384. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.040

磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究

顾广瑞 ^1, , 李英爱 ^2, , 陶艳春 ^3, , 何志 ^4, , 赵永年 ^5,

1.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;延边大学理工学院,延吉,133002

2.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023

3.吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,长春,130023

4.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023

5.吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023;吉林大学超分子结构和谱学开放实验室,长春,130023

基金项目: 国家自然科学基金(59831040)

关键词： TiO2薄膜 , 导电性 , 电阻率 , 界面电子转移

Conductivity of Magnetron-sputtered Nanometer TiO2 Thin Films

研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化.这归因于基底材料与TiO2的功函数不同,导致了界面电子的转移,功函数差决定了电子转移的深度.

参考文献

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