CdS薄膜的SILAR法制备与表征

无机材料学报, 2004, 19(3): 691-695. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.042

CdS薄膜的SILAR法制备与表征

刘晓新 ^1, , 靳正国 ^2, , 步绍静 ^3, , 赵娟 ^4, , 程志捷 ^5,

1.天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

2.天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

3.天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

4.天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

5.天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

基金项目: 天津市应用基础研究项目(F103004)

关键词： CdS薄膜 , SILAR法 , 制备与表征 , 生长机理

Preparation of CdS Thin Films by SILAR Method

采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了CdS薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle,随循环次数的增加,沉积粒子的尺寸趋于增大.室温下沉积的CdS薄膜为非晶态,经热处理后薄膜的结晶度提高,电阻率显著下降.此外,文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论.

参考文献

[1]	崔海宁,冯力.太阳能学报,1996,17(2):189-191.
[2]	NICOLAU Y F. Applications of Surface Science, 1985, 22/23: 1060-1075.
[3]	靳正国,刘晓新,步绍静,等.材料导报,2003,17(3):66-68.
[4]	Fossi A, MPandou A M, Lamarche J M. Collide. Sur., 1982, 5: 363-368.
[5]	Dimitri A Sverjensky, Nita Sahai. Geochimica et cosrnochinica Acta, 1996, 60 (20): 3773-3797.
[6]	Berger G, Cadore F, Schott J, et al. Geochimica et cosrnochinica Acta, 1994, 58: 541-55.

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