衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响

无机材料学报, 2004, 19(3): 701-704. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.044

衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响

许仕龙 ^1, , 朱满康 ^2, , 黄安平 ^3, , 王波 ^4, , 严辉 ^5,

1.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

2.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

3.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

4.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

5.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

基金项目: 北京市自然科学基金(2021003)

关键词： Ta2O5 , 介电薄膜 , 晶化温度 , 衬底负偏压

Effect of Substrate Bias on Crystallization Temperature and Dielectric Properties of Sputtered Ta2O5 Films

采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.

参考文献

[1]	Luo Z J, Guo Xin, et al. Appl. Phys. Lett., 2001, 79: 2803-2804.
[2]	Li Yiming, Lee Jam-Wem. Computer Physics Communications, 2002, 147: 214-217.
[3]	Zhang H, Solanki R. J. Appl. Phys., 2000, 87: 1921-1924.
[4]	Takaishi Y, et al. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet, 1994. 839-844.
[5]	Banerjee S, et al. J. Appl. Phys., 1989, 65: 1140-1146.
[6]	Pignolet A, et al. Thin Solid Film, 1995, 258: 230-235.
[7]	Devine R A B. Appl. Phys. Lett., 1996, 68: 1924-1926.
[8]	Ono H, Koyanagi K I. Appl. Phys. Lett., 2000, 77: 1431-1433.
[9]	Shtansky D V, et al. Sci. Tech. Advan Mater., 2000, 1: 219-225.
[10]	Wang B B, Wang W L, et al. Diamond and Related Materials, 2001, 10: 1622-1626.
[11]	Woo H K, Lee C S, et al. J. Mater. Res., 1998, 13: 1738-1740.
[12]	Fujikawa H, Taga T. J. Appl. Phys., 1994, 75: 2538-2544.

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Effect of Substrate Bias on Crystallization Temperature and Dielectric Properties of Sputtered Ta2O5 Films

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