添加Na+对ANT系统介电性能的影响

无机材料学报, 2004, 19(4): 823-826. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.019

添加Na+对ANT系统介电性能的影响

李玲霞 ^1, , 郭炜 ^2, , 吴霞宛 ^3, , 王洪儒 ^4, , 张志萍 ^5, , 余昊明 ^6,

1.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

2.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

3.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

4.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

5.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

6.天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072

基金项目: 国家自然科学基金(50172035)

关键词：高频高介 , ANT , 松弛极化 , 介电损耗

Effect of Na+ on Dielectric Properties of ANT System

Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结.在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+ 离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε＞500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃, ρv＞1012Ω·cm.

参考文献

[1]	Kania A, Roleder K, Kugel G E, et al. J. Phys. C: Solid State Phys., 1986, 19: 9-20.
[2]	Matjjaz Valant, Danilo Suvorov. J. Am. Ceram. Soc., 1999, 82 (1): 81-87.
[3]	Matjjaz Valant, Danilo Suvorov. J. Am. Ceram. Soc., 1999, 82 (1): 81-84.
[4]	Bao D H, Kuang A X. Journal of Crystal Growth, 1997, 171 (1-2): 314-317.
[5]	Jan Petzelt, Stanislay Kamba, Elena Buixaderas. Ferroelectrics, 1999, 223: 235-246.
[6]	陆佩文,等编著.<硅酸盐物理化学>东南大学出版社,1989.67-69.

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