用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究

无机材料学报, 2004, 19(4): 887-894. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.030

用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究

李东辉 ^1, , 刘志凌 ^2, , 叶甜春 ^3, , 陈大鹏 ^4, , 吕反修 ^5,

1.中国科学院微电子所,北京,100029

2.北京科技大学材料系,北京,100083

3.中国科学院微电子所,北京,100029

4.中国科学院微电子所,北京,100029

5.北京科技大学材料系,北京,100083

关键词：成核 , 金刚石薄膜 , MPCVD , X射线光刻掩模

Nucleation of Nano-Diamond Films for X-Ray Mask Substrates

介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性;通过调节衬底温度、改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施,实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响, 获得了高密度形核的样品;对形核后的预生长期进行了工艺优化,有效地控制了核岛的优势生长,总结出了一套优化的形核方案,即甲烷浓度4%,衬底温度700℃,形核时间14min;这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能,还有效地降低了膜的内应力.

参考文献

[1]	Lei Yang, Franco Cerrina, James W. Taylor. J. Vac. Sci. Technol., 2002, B 20 (1): 250.
[2]	Makoto F, Masanori S, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1999, 38: 7059-7064.
[3]	Jerome P. J. Vac. Sci. Technol., 1997, B 15 (6): 2117.
[4]	Rovet M F, Rousseaux F. Diamond and Related Materials, 1996, 5: 812.
[5]	Cameron J Brooks, Lynn A Powers. J. Vac. Sci. Technol., 1999, B 17 (6): 3144.
[6]	Hitoshi Noguchi, Yoshihiro Kubota. J. Vac. Sci. Technol., 1998, B 16 (3): 1167.
[7]	Scott Hector. Microelectronic Engineering, 1998, 41/42: 25-30.
[8]	新世纪的半导体光刻技术集锦.中国电子报,2001.12.10.

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