空心阴极等离子烧结AlN陶瓷

无机材料学报, 2004, 19(5): 1011-1017. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.008

空心阴极等离子烧结AlN陶瓷

段成军 ^1, , 王群 ^2, , 王从曾 ^3, , 高帆 ^4, , 赵景泰 ^5,

1.北京工业大学材料学院功能材料国家重点实验室,北京,100022;中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

2.北京工业大学材料学院功能材料国家重点实验室,北京,100022

3.北京工业大学材料学院功能材料国家重点实验室,北京,100022

4.北京工业大学材料学院功能材料国家重点实验室,北京,100022

5.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 北京市科技新星计划项目(XD902K03)

关键词：氮化铝 , 空心阴极等离子 , 热导率 , 致密度

Hollow Cathode Discharge Plasma Sintering of Aluminium Nitride

将空心阴极效应运用于AlN陶瓷的烧结, 选用自蔓延高温合成的AlN粉体为原料, 用 Y2O3-CaO-Li2O作为烧结助剂, 制备出了致密度高, 导热性能好的AlN陶瓷.在添加5.5wt% 的Y2O3-CaO-Li2O(Y2O3:Li2O:CaO=44:6:5wt%)作为烧结助剂, 在1700℃, 保温3h的烧结条件下, 获得相对密度为98.89%, 热导率为93.8 W/(m·K)AlN烧结体.烧结体的断口SEM照片显示烧结试样的晶粒生长发育完善, 晶粒轮廓清晰呈尖锐的多面体形状, 晶粒大小均匀, 气孔和晶界相少, 断裂模式为穿晶断裂.TEM表明: 晶界相少, 且大部分都缩至三角晶界, AlN颗粒与颗粒接触紧密.

参考文献

[1]	周和平, 刘耀成, 吴音(ZHOU He-Ping, et al). 硅酸盐学报(Journal of the Chinese Ceramic Society), 1998, 26 (4): 517-521.
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[3]	彭国贤. 气体放电--等离子体物理的应用. 北京: 知识出版社, 1988. 161-163.
[4]	许笑雷.AlN陶瓷的低温烧结及热处理研究[D].上海: 中国科学院上海硅酸盐研究所, 1998. 23-27.
[5]	Abeles B. Phys. Rev., 1963, 131 (5): 1905-1911.
[6]	Slack G A. J. Phys. Chem. Solid, 1973, 34 (3): 321-335.

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