磁约束电感耦合等离子体增强反应溅射沉积nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜

无机材料学报, 2004, 19(5): 1080-1086. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.018

磁约束电感耦合等离子体增强反应溅射沉积nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜

范秋林 ^1, , 赵红雨 ^2, , 宋力昕 ^3, , 张涛 ^4, , 胡行方 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 教育部留学回国人员科研启动基金(04144(99)) 中国科学院留学基金国家自然科学基金(50082006)

关键词：纳米复合薄膜 , 磁束缚等离子体 , 氮化钛 , 氮化硅

Reactive Sputter Deposition of nc-TiN/a-Si3N4 Nanocomposite Films in a Magnetized Inductively Coupled Plasma

介绍一种新型磁束缚电感耦合等离子体增强的物理化学气相沉积复合系统, 并用该系统通过反应磁控溅射TiSi合金靶, 在氩气和氮气等离子体作用下, 在单晶硅衬底上制备了nc-TiN/a-Si3N4纳米复合薄膜.扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子谱仪和高分辨率透射电子显微镜的分析和观察结果清晰地表明该薄膜是具有纳米结构的复合薄膜, 主要由镶嵌在非晶态Si3N4 基体中的TiN纳米晶粒组成, TiN晶粒的尺寸约为3nm.

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