MOD法制备的Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的晶型结构及铁电性能

无机材料学报, 2005, 20(1): 163-168. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.025

MOD法制备的Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的晶型结构及铁电性能

马建华 ^1, , 孟祥建 ^2, , 孙璟兰 ^3, , 褚君浩 ^4,

1.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

3.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

4.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

基金项目: 国家自然科学基金(60221502,60223006) 上海市AM基金(0306)

关键词： PLZT薄膜 , 中间温度预退火 , 晶型结构 , 铁电性能

Crystallinity and Ferroelectricity of MOD-derived Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3 Thin Films

采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)/Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3(PLZT)铁电薄膜.在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择.没有中间温度预退火过程的薄膜,显示出(100)择优取向;而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向.对薄膜铁电性能的研究表明,没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差,经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能.晶型结构取向和缺陷是影响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素.

参考文献

[1]	王根水,赖珍荃,于剑,等.红外与毫米波学报,2002,21(1):37-40.
[2]	Chen S Y, Chen I W. J. Am. Ceram. Soc., 1998, 81(1): 97-105.
[3]	Chen S Y, Chen I W. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(9): 2332-2336.
[4]	Chen S Y, Chen I W. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(9): 2337-2344.
[5]	Chen S Y, Chen I W. Jpn. J. Appl. Phys., 1997, 36: 4451-4458.
[6]	Schwartz R W, Voigt J A, Tuttle B A, et al. J. Mater. Res., 1997, 12(2): 444-456.
[7]	Meng X J, Sun J L, Yu J, et al. Appl. Phys. A, 2001, 73: 323-325.
[8]	Meng X J, Sun J L, Yu J, et al. Applied Surface Science, 2001, 171: 68-70.
[9]	Sun J L, Chen J, Meng X J, et al. Appl. Phys. Lett., 2002, 80(19): 3584-3586.
[10]	Boser O. J. Appl. Phys., 1987, 62(4): 1344-1348.
[11]	Dimosm D, Schwartz R W, Lockwood S J. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(11): 3000-3005.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网