用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜

无机材料学报, 2005, 20(1): 169-174. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.026

用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜

李抒智 ^1, , 徐军 ^2, , 杨卫桥 ^3, , 邹军 ^4, , 周圣明 ^5,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

关键词： GaN , 气相传输平衡技术(VTE) , γ-LiAlO2 , 蓝宝石

γ-LiAlO2 Layer on (0001) Sapphire Fabricated by Vapor Transport Equilibration

利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜.X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850～900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.

参考文献

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