欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相反.BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

参考文献

[1] Meng X J, Sun J L, Wang X G, et al. Appl. Phys. Lett., 2002, 81 (21): 4035-4037.
[2] Sun J L, Chen J, Meng X J, et al. Appl. Phys. Lett., 2002, 80 (19): 3584-3586.
[3] 胡志高,王根水,黄志明等.红外与毫米波学报,2002,21(3):175-179.
[4] Lee H N, Hesse D. Appl. Phys. Lett., 2002, 80 (6): 1040-1042.
[5] Chon U, Jang H M, Kim M G, et al. Phys. Rew. Lett., 2002, 89 (8): 0876011-0876014.
[6] Park B H, Kang B S, Bu S D, et al. Nature, 1999, 401: 682-684.
[7] Hayashi T, Iizawa N, Togawa D, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 2003, 42: 1660-1664.
[8] Kojima T, Sakai T, Watanabe T, et al. Appl. Phys. Lett., 2002, 80 (15): 2746-2748.
[9] Cummins S E, Cross L E. J. Appl. Phys., 1968, 39 (5): 2268-2274.
[10] Nogughi Y, Miwa I, Goshima Y, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 2000, 39: L1259-L1262.
[11] Wang G S, Cheng J G, Meng X J, et al. Appl. Phys. Lett., 2001, 78 (26): 4172-4174.
[12] Ryu S O, Lee W J, Lee N Y, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 2003, 42: 1665-1669.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%