采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相反.BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.
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