介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10~40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.
参考文献
[1] | Holmes JD, Johnston K P, Dorty R C, et al. Science, 2000, 287: 1471-1473. |
[2] | Morales A M, Lieber C M. Science, 1998, 279: 208-211. |
[3] | Wei B Q, Ward J W, Vajtai R, et al. Chem. Phys. Lett., 2002, 354: 264-268. |
[4] | Tang C C, Fan S S, Dang H Y, et al. J. Cryst. Growth, 2000, 210: 595-599. |
[5] | Lai H L, Wong N B, Zhou X T, et al. Appl. Phys. Lett., 1999, 76: 294-296. |
[6] | Gao Y H, Bando Y, Kurashima K, et al. J. Mater. Sci., 2002, 37: 2023-2029. |
[7] | Zhang Y J, Wang N L, He R R, et al. Sol. Stat. Comm., 2001, 118: 595-598. |
[8] | Wang Z L, Dai Z R, Gao R P, et al. Appl. Phys. Lett., 2000, 77: 3349-3353. |
[9] | Li J C, Lee C S, Lee S T. Chem. Phys. Lett., 2002, 355: 147-150. |
[10] | Liang C H, Meng G W, Zhang L D, et al. Chem. Phys. Let., 2000, 329: 323-328. |
[11] | 戴长虹,赵汝,水丽(DAI Chang-Hong,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2003,18(3):691-694. |
[12] | Zhang Y F, Tang Y H, Wang N, et al. J. Cryst. Growth, 1999, 197: 136-140. |
[13] | Pamplin B R. Crystal Growth, 2nd ed. Pergamon Press, 1980. 58-59. |
[14] | 林成福,汪伟,赵志成,等.金属学报,1997,33(9):991-994. |
[15] | 韩伟强,范守善,李群庆(HAN Wei-Qiang,et al).无材料学报(Journal ofInorganic Materials),1997,12(6):774-778. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%