硅基LiNbO3薄膜的微结构研究

无机材料学报, 2005, 20(4): 971-975. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.04.033

硅基LiNbO3薄膜的微结构研究

卢焕明 ^1, , 叶志镇 ^2, , 黄靖云 ^3, , 汪雷 ^4, , 赵炳辉 ^5,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

5.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

基金项目: 国家自然科学基金(90101009) 浙江省留学回国人员基金(20046)

关键词： LiNbO3薄膜 , 透射电子显微镜 , PLD技术

Microstructure of LiNbO3 Thin Films Grown on Silicon Substrates by Pulsed Laser Deposition

利用透射电子显微镜及X射线衍射,研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构.结果表明,在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下,在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜,为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体.本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理.

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Microstructure of LiNbO3 Thin Films Grown on Silicon Substrates by Pulsed Laser Deposition

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