低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

无机材料学报, 2005, 20(6): 1373-1378. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.017

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

钟明峰 ^1, , 苏达根 ^2, , 庄严 ^3, , 陈志雄 ^4,

1.华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

2.华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

3.广州新日电子有限公司,广州,510335

4.广州大学物理与电子工程学院,广州,510405

基金项目: 广东省广州市科技攻关项目(2002Z2-D0011)

关键词：多层压敏电阻器 , 低温烧结 , 银扩散 , 晶粒电阻 , 电性能

Effect of in Inner Electrode Ag Diffusion on Electric Properties of Low Firing Multilayer Chip Zinc Oxide Varistor

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.

参考文献

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低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

Effect of in Inner Electrode Ag Diffusion on Electric Properties of Low Firing Multilayer Chip Zinc Oxide Varistor

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