MSP方法评价PLZT压电陶瓷的强度

1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

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5.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 上海市科委资助项目(01DJGK016)

Modified Small Punch Tests to Evaluate Ultimate Strength of PLZT Ceramics

采用MSP方法简便有效地评价了氧化物混合法和机械合金化法制备的PLZT压电陶瓷的破坏强度.MA法制备PLZT陶瓷在较低温度下就能烧结致密,具有较好的化学和结构均匀性.相同温度烧结的PLZT陶瓷不仅比MO方法制备的PLZT陶瓷电学性能好,而且破坏强度也更高.PLZT陶瓷经极化后,破坏强度会下降.

[1]	Li J F, Kawasaki A, Watanabe R J. Japan Inst. Metals, 1992, 56: 1450-1456.
[2]	Jiang W, Li J F, Kawasaki A. J. Japan Inst. Metals, 1995, 59: 1055-1061.
[3]	Zhang L M, Li J F, Watanabe R. Functionally Graded Materials, 1996, I: 445-449.
[4]	Kameda J, Bloomer T E, Sugita Y, et al. Mater. Sci. Eng., 1997, A229: 42-54.
[5]	Giddings V L, Kurtz S M, Jewett C W, et al. Biomaterials, 2001, 22(13): 1875-1881.
[6]	Haertling G H, Land C E. J. Am. Ceramic Soc., 1971, 54(1): 1-11.
[7]	Haertling G H. Ferroelectrics, 1987, 75: 25-55.
[8]	Xu Z, Dai X H, Viehland D. Phys. Rev., 1995, B51: 6261-6271.
[9]	Narita F, Shindo Y. Theor. Appl. Fract. Mech., 2001, 36: 73-85.
[10]	Shindo Y, Murakami H, Horiguchi K, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2002, 85: 1243-1248.
[11]	Busche M J, Hsia K J. Scripta Mater., 2001, 44: 207-212.
[12]	Haertling G H, Land C L. Ferroelectrics, 1972, 3: 269-280.
[13]	Haertling G H. J. Am. Ceram. Sos., 1999, 82: 797-818.
[14]	Kong L B, Ma J, Zhang T S. J. Mater. Res., 2001, 16(6): 1636-1643.

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