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采用低压化学气相沉积(LPCVD)在镍片上制备了厚度在400~1000μm范围的碳纳米管(CNTs)薄膜,研究了碳源(乙炔)流量对碳纳米管薄膜形貌和结构的影响.随乙炔流量的增加,碳纳米管薄膜厚度和产量增大.电子显微镜和拉曼光谱研究结果表明,在乙炔流量为10sccm下制备的碳纳米管直径分布范围最小(10~100nm),石墨化程度最高,缺陷密度最小,晶形最完整.随着乙炔流量的增大(30~90sccm),碳纳米管的直径分布范围增大(10~300nm),石墨化程度降低,缺陷密度增大,非晶化程度增加.因此,通过碳源流量可以控制碳纳米管薄膜的形貌和结构.

参考文献

[1] Iijima S.Nature,1991,345 (6348):56-58.
[2] Ebbesen T W,Ajayan P M.Nature,1992,358 (6283):220-222.
[3] Colbet P T,Zhang J,Mcclure S M,et al.Science,1994,266:1218-1233.
[4] Ivanov V,Nagy J B,Lambin Ph,et al.Chem.Phys.Lett.,1994,223:329-335.
[5] Ivanov V,Fonseca A,Nagy J B.Carbon,1995,33 (12):1728-1738.
[6] Hernadi K,Fonseca A,Nagy J B.Carbon,1996,34 (10):1249-1257.
[7] Rahul Sen,Govindaraj A,Rao C N R.Chem Phys Lett,1997,267 (3-4):276-280.
[8] Guo T,Nikolaev P,Thess A,et al.Chem.Phys.Lett.,1995,243:49-54.
[9] Li Y J,Sun Z,Lau S P,et al.Appl.Phys.Lett.,2001,79:1670-1672.
[10] Sun Z,Li Y J,Chen G Y,et al.Surf.Rev.Lett.,2001,8:505-508.
[11] Chernozatonskii L A,Kukovitskii E F,Musatov A L,et al.Carbon,1998,36:713-715.
[12] Xu M,Huang Q,Chen Q,et al.Chem.Phys.Lett.,2003,375:598-604.
[13] Bacsa W S,Ugarte D,Chatelain A,et al.Phys.Rev.B,1994,50:15473-15477.
[14] Huong P V,Cavagnat R,Ajayan P M,et al.Phys.Rev.B,1995,51:10048-10051.
[15] Li W Z,Zhang H,Wang C Y,et al.Appl.Phys.Lett.,1997,70:2684-2686.
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