对载氢掺锗石英光纤的紫外光敏特性以及载氢条件对光纤紫外光敏性的影响进行了系统地实验研究.实验结果表明:①载氢光纤的光致折射率改变随紫外曝光时间的变化规律(△n=3.3×10-4t0.31689)是先呈指数增长到达一定的时间基本达到饱和,如果继续照射,光致折射率改变继续增大,并对紫外光敏机理进行了讨论;②随着载氢压力的增大,光纤的紫外光敏性呈正比例增大,两者之间的关系为△n=1.34×10-5+4.66×10-5P;③掺锗石英光纤的紫外光敏性的大小随着载氢时间的延长,呈指数增长,最后达到饱和.
参考文献
| [1] | Hill K O,Fujii Y,Johnson D C,et al.App.Phys.Lett.,1978,32:647-649. |
| [2] | Bennion I,Williams J A R,Zhang L,et al.Optical and Quantum Electronics,1996,28 (2):93-135. |
| [3] | Kersey A D,Davis M A,Patrick H J,et al.Journal of Lightwave Technology,1997,15 (8):1442-1463. |
| [4] | Swart P L,Chtcherbakov A A,Joubert W L,et al.Optics Communications,2003,217:189-196. |
| [5] | Patrick H,Gilbert S L.Optics Letters,1993,18:1484-1486. |
| [6] | Atkins R M,Mizrahi V,Erdogan T.Electronics Letters,1993,29 (4):385-387. |
| [7] | Paul J.Lemaire.Optical Engineering,1991,30 (6):780-789. |
| [8] | Grubsky V,Starodubov D S,Feinberg J.Optical Letters,1999,24 (11):729-731. |
| [9] | Lemaire P J,Atkins R M,Mizrahi V,et al.Electronic Letters,1993,29 (13):1191-1193. |
| [10] | Shackelford J F,Studt P L,Fulrath R M.J.Appl.Phys.,1972,43 (4):1619-1626. |
| [11] | Liou C L,Wang L A,Shih M C,et al.Applied Physics A:Materials Science & Processing,1997,64 (2):191-197. |
| [12] | Lemaire P J.Optical Engineering,1991,30 (6):780-789. |
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