Ni掺杂对Co4-xNixSb12热电转换性能的影响

无机材料学报, 2006, 21(2): 392-396. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.022

Ni掺杂对Co4-xNixSb12热电转换性能的影响

赵雪盈 ^1, , 史迅 ^2, , 陈立东 ^3, , 唐新峰 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049

2.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049

3.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050

4.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(50325208) 中国科学院资助项目(50272077) 武汉工业学院校科研和教改项目(50310353)

关键词： Ni掺杂 , Skutterudite , 热电性能

Influence of Ni Doping on the Thermoelectric Properties of Co4-xNixSb12

采用熔融法合成了Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,并研究了Ni掺杂对该化合物的高温热电性能的影响.实验结果表明:由于Ni向Skutterudite结构中提供电子,导致化合物的载流子浓度和电导率随Ni置换量的增加而增加,Seebeck系数为负值,Seebeck系数的峰值温度随Ni置换量的增加向高温方向移动;Ni置换引入了电子-声子散射,导致晶格热导率降低.对于Skutterudite化合物Co4-xNixSb12,得到的最大热电性能指数ZT约为0.55.

参考文献

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