纳米Cu2O/TiO2异质结薄膜电极的制备和表征

无机材料学报, 2006, 21(2): 453-458. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.032

纳米Cu2O/TiO2异质结薄膜电极的制备和表征

唐一文 ^1, , 陈志钢 ^2, , 张丽莎 ^3, , 贾志勇 ^4, , 张新 ^5,

1.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079

2.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079;复旦大学先进材料实验室,上海,200433

3.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079

4.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079

5.华中师范大学纳米科技研究院,武汉,430079

基金项目: 国家留学回国人员科研项目中国科学院资助项目(20207002)

关键词：氧化亚铜薄膜 , 二氧化钛膜 , 异质结电极 , 光电化学

Preparation and Characterization of Nanocrystalline Cu2O/TiO2 Heterojunction Film Electrode

通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu2O薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.

参考文献

[1]	de Jongh P E,Vanmaekelbergh D,Kelly J J.J.Electrochem.Soc.,2000,147:486-489.
[2]	陈志钢,唐一文,贾志杰,等(Chen Zhi-Gang,et al).无机材料学报(Journal ofInorganic Materials),2005,20(2):367-372.
[3]	Georgieva V,Risov M.Sol.Energy Mater.Sol.Cells,2002,73:67-73.
[4]	Hara M,Kondo T,Komoda M,et al.Chem.Commum.,1998:357-358.
[5]	Yoon K H,Choi W J,Kang D H.Thin solid films,2000,372:250-256.
[6]	Mahalingam T,Chitra J S P,Ravi G,et al.Surf.Coat.Tech.,2003,168:111-114.
[7]	Musa A O,Akomolafe T,Carter M J,Sol.Energy Mater.Sol.Cells,1998,51:305-316.
[8]	Trivich U,Wang E Y,Komp R J,et al.Proc.13th IEEE Photovoltaic Spec.Conf.,Washington,IEEE,NewYork,1978.174-183.
[9]	Nazeeruddin M K,Kay A,Rodicio I,et al.J.Am.Chem.Soc.,1993,115:6382-6390.
[10]	Kalyanasundaram K,Gratzel M.Coordin.Chem.Rev.,1998,77:347-414.
[11]	Vogel R,Hoyer P,Weller H.J.Phys.Chem.,1994,98:3183-3188.

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Preparation and Characterization of Nanocrystalline Cu2O/TiO2 Heterojunction Film Electrode

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