Lu2Si2O7:Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

无机材料学报, 2006, 21(3): 527-532. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.003

Lu2Si2O7:Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究

李焕英 ^1, , 秦来顺 ^2, , 陆晟 ^3, , 任国浩 ^4,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

基金项目: 中国科学院资助项目(50272072) 国家科技攻关项目(2002AA324070)

关键词：闪烁晶体 , LPS:Ce晶体 , 缺陷 , 包裹物

Growth and Macro-defects Study of Lu2Si2O7:Ce Scintillation Crystal

用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题:(1)熔体挥发;(2)晶体开裂;(3)层状包裹.生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导;LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响.接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因.层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.

参考文献

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[5]	Pidol L,Kahn-Harari A,Viana B,et al.J.Crystal Growth,2005,275:899-904.
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[8]	秦来顺,任国浩,等.硅酸盐学报,2004,32(11):1361-1366.

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Growth and Macro-defects Study of Lu2Si2O7:Ce Scintillation Crystal

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