半金属Fe3O4薄膜的制备工艺探索

无机材料学报, 2006, 21(3): 741-746. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.037

半金属Fe3O4薄膜的制备工艺探索

唐晓莉 ^1, , 张怀武 ^2, , 苏桦 ^3, , 钟智勇 ^4,

1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

2.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

3.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

4.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

基金项目: 中国科学院资助项目(90306015) 电子科技大学校科研和教改项目

关键词：半金属材料 , 自旋电子材料 , Fe3O4薄膜

Preparation of Half-metallic Fe3O4 Films

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料,由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注.但由于铁元素存在多种价态的氧化物,使得制备单一成分的Fe3O4非常困难,因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究,探索了晶化温度对薄膜结构的影响,并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善,得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件.另外,通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试,发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应,因此有望将其应用到自旋电子器件中.

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