ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究

无机材料学报, 2006, 21(4): 1011-1017. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.040

ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究

陈祝 ^1, , 张树人 ^2, , 杜善义 ^3, , 杨成韬 ^4, , 郑泽渔 ^5, , 李波 ^6, , 孙明霞 ^7,

1.成都信息工程学院通信工程系,成都,610225;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

2.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

3.哈尔滨工业大学复合材料研究所,哈尔滨,150001

4.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

5.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

6.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

7.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

关键词：陶瓷靶 , 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向

Li-doped ZnO Ceramic Target Preparation and RF Magnetron Sputtering ZnO Films

利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10～15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2.2mol%,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4.12×108Ω·cm,达到了声表面波器件(SAW)的使用要求.

参考文献

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