工艺条件对热丝CVD金刚石薄膜电学性能的影响

无机材料学报, 2006, 21(4): 1018-1024. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.041

工艺条件对热丝CVD金刚石薄膜电学性能的影响

刘健敏 ^1, , 夏义本 ^2, , 王林军 ^3, , 张明龙 ^4, , 苏青峰 ^5,

1.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

2.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

3.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

4.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

5.上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

基金项目: 国家自然科学基金(60577040;60277024) 上海市纳米科技专项基金(0452nm051) 上海市学科科研项目(T0101) 上海市应用材料研究与发展基金(0404)

关键词：退火工艺 , 化学气相沉积金刚石薄膜 , 沉积条件

Effects of Process Conditions on Electric Properties of Hot-filament CVD Diamond Films

采用不同的沉积条件,通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜.讨论了薄膜退火前后的介电性能.研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系.通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性.结果表明,退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质,改善了薄膜质量.获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能,在50V偏压条件下电阻率为1.2×1011Ω·cm,频率在2MHz条件下介电常数为5.73,介电损耗为0.02.

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