不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

无机材料学报, 2006, 21(5): 1047-1052. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.004

不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

王波 ^1, , 房昌水 ^2, , 孙洵 ^3, , 王圣来 ^4, , 顾庆天 ^5, , 李毅平 ^6,

1.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

5.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

6.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(59823003) 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(03BS079)

关键词： DKDP晶体 , 过饱和度 , 晶体生长 , 缺陷

Growth and Defect of DKDP Crystal at Different Supersaturation

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素.本文采用"点籽晶"快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试.研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷.实验证明,DKDP晶体可以在＜4℃的过饱和度下实现快速生长,但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.

参考文献

[1]	张克从,王希民.非线性光学晶体材料科学.北京:科学出版社,1996.107-115.
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Growth and Defect of DKDP Crystal at Different Supersaturation

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