在无任何催化剂的条件下,采用快速升温法在单晶硅衬底上制备了高质量的、形貌均匀的CdS纳米带.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)分析显示,纳米带属六方单晶结构,生长方向为[001].讨论了纳米带形成的机理,认为CdS纳米带状六方结构的形成,主要是由于生长速度的各向异性及在沉积区具有较低的过饱和度和较高的沉积温度等因素导致.
参考文献
| [1] | Pan Zheng-wei,Dai Zu-rong,Wang Zhong-lin.Science,2001,291:1947-1949. |
| [2] | Iijima Sumio.Nature,1991,354:56-58. |
| [3] | Iijima Sumio,Ichihashi Toshinari.Nature,1993,363:603-605. |
| [4] | Bethune D S,et al.Nature,1993,363:605-607. |
| [5] | 叶式中,杨树人,康昌鹤.半导体材料及其应用,第一版.北京:机械工业出版社,1986.50. |
| [6] | 周永溶.半导体材料,第一版.北京:北京理工大学出版社,1992.182. |
| [7] | 王季陶,刘明登.半导体材料,第一版.北京:高等教育出版社,1990.526. |
| [8] | Ye C H,Meng G W,Wang Y H,et al.J.Phys.Chem.B.,2002,106 (40):10338-10341. |
| [9] | Dai Z R,Pan Z W,Wang Z L.Adv.Funct.Matter,2003,13:9-24. |
| [10] | Bravais A,Etudes Cristallographiques,Paris:Cauthier-Villars,1866.1. |
| [11] | 张克从,张乐潓.晶体生长科学与技术,第二版.北京:科学出版社,1997.61. |
| [12] | 劳迪斯 R A 著,刘光照译.单晶生长.北京:科学出版社,1979.113. |
| [13] | Peiser H S.Crystal Growth,New York:Pergaman,1967.413. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%