飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究

无机材料学报, 2007, 22(3): 545-549. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2007.03.034

飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究

周幼华 ^1, , 陆培祥 ^2, , 杨光 ^3, , 杨义发 ^4, , 郑启光 ^5,

1.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074;江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056

2.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

3.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

4.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

5.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20040487006) 湖北省武汉市青年科技晨光计划(20035002016-15)

关键词： β-FeSi2 , 飞秒 , 脉冲激光沉积法(PLD) , 光致发光

β-FeSi2 Thin Film Prepared by Femtosecond Laser Ablation and Its Optical Characteristic

采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.

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