CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响

无机材料学报, 2008, 23(1): 195-198. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.038

CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响

袁铮 ^1, , 桑文斌 ^2, , 钱永彪 ^3, , 刘洪涛 ^4, , 闵嘉华 ^5, , 滕建勇 ^6,

1.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

2.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

3.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

4.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

5.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

6.上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072

基金项目: 上海市重点学科建设项目(T0101) 国家自然科学基金(60676002)

关键词：核探测器 , CdZnTe , In掺杂 , 电学性能

Effects of In Dopant Concentration on the Electrical Properties of CdZnTe Crystal

通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.

参考文献

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Effects of In Dopant Concentration on the Electrical Properties of CdZnTe Crystal

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