超快大功率SiC光导开关的研究

无机材料学报, 2008, 23(3): 425-428. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.002

超快大功率SiC光导开关的研究

严成锋 ^1, , 施尔畏 ^2, , 陈之战 ^3, , 李祥彪 ^4, , 肖兵 ^5,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 中国科学院知识创新工程项目(KGCX2-YW-206) 上海市自然科学基金(06ZR14096) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03A146)

关键词：碳化硅 , 钒掺杂 , 半绝缘 , 光导开关

Super Fast and High Power SiC Photoconductive Semiconductor Switches

选用钒掺杂浓度为0.2at%的高质量6H-SiC晶体,电阻率为7.0x108>Ω·cm,研制出超快大功率SiC光导开关.在脉冲宽度为20ns的光源激发下,分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性.结果表明:1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越,耐偏压高,光导电脉冲的上升时间快(6.8ns),脉宽<20ns,稳定性好.负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大,在2.5kV的偏置电压下,最大瞬时电流约为57.5A,瞬时功率高达132kW.

参考文献

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