分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究

无机材料学报, 2008, 23(3): 545-548. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025

分子束外延PbTe/Cd0.98Zn0.02Te异系材料的微结构特性研究

斯剑霄 ^1, , 吴惠桢 ^2, , 徐天宁 ^3, , 夏明龙 ^4, , 王擎雷 ^5, , 陆叶青 ^6, , 方维政 ^7, , 戴宁 ^8,

1.浙江大学,物理系,杭州,310027

2.浙江大学,物理系,杭州,310027

3.浙江大学,物理系,杭州,310027

4.浙江大学,物理系,杭州,310027

5.浙江大学,物理系,杭州,310027

6.浙江大学,物理系,杭州,310027

7.中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083

8.中国科学院,上海技术物理研究所,上海,200083

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20060335035) 国家自然科学基金(10434090)

关键词：异质外延 , 表面微结构 , 位错运动

Study on Micro-structural Properties of PbTe/Cd0.98Zn0.02Te (111)Hetero-system Grown by Molecular-beam Epitaxy

采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.

参考文献

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