利用脉冲激光淀积(PLD)技术在6H-SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),反射式高能电子衍射(RHEED)和同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构.结果表明:在单晶6H-SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平,不同入射角的SRGID结果,显示了ZnO薄膜内部不同深度处α方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,α方向的晶格常数分别为0.3264、0.3272和0.3223nm.通过计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.504,ZnO薄膜与单晶6H-SiC衬底在平行丁衬底表面α轴方向的实际晶格失配度为5.84%.
参考文献
[1] | Chang S S,Sakai A.Mater.Left.,2004,58 (7-8):1212-1217. |
[2] | Naseem S,Yasin S.J.Mater.Sci.Technol.,1997,13(6):499-502. |
[3] | Bayazitov R M,Khaibullin I B,Batalov R I,et al.Nucl.Instrum.Methods Phys.Res.B,2003,206:984-988. |
[4] | Wang X,Lu Y M,Shen D Z,et al.Journal of Lumines-cence,2007,122-123:165-167. |
[5] | Alivov Ya I,Ozgur U,Dogan S,et al.Superlattices and Microstructures,2005,38 (4-6):439-445. |
[6] | Alivov Ya I,Ozgiir U,Dogan S,et al.Appl.Phys.Lett.,2005,86 (24):241108. |
[7] | Ashrafi A B M A,Segawa Y,Shin K,et al.J.Appl.Phys.,2006,100 (6):063523. |
[8] | Makino T,Yasuda T,Segawa Y,et al.Appl.Phys.Lett.,2001,79 (9):1282-1284. |
[9] | 徐现刚,胡小波,王继扬,等.人工晶体学报,2003,32(5):540-540. |
[10] | Brizard C,Rolland G,Laugier F.Journal of Applied Crys-tallography,1993,26 (4):570-573. |
[11] | Cheung J T,Gergis I,James M,et al.Appl.Phys.Lett.,1992,60 (25):3180-3182. |
[12] | Zhang B P,Wakatsuki K,Binh N T.Thin Solid Films,2004,449 (1-2):12-19. |
[13] | Chen Y F,Bagnall D M,Koh H J.J.Appl.Phys.,1998,84 (7):3912-3918. |
[14] | 姜晓明,贾全杰,郑文莉,等.高能物理与核物理,2000,24(12):1185-1190. |
[15] | Dosch H.Phys.Rev.B,1987,35 (5):213-2143. |
[16] | Ashrafi A B M A,Binh N T,Zhang B P.Appl.Phys.Lett.,2004,84 (15):2814-2816. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%