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以氧化石墨(GO)为主体,苯胺-邻甲氧基苯胺导电共聚物(P(An-co-oAs))为客体,采用剥离/重新组装技术合成出P(An-co-oAs)嵌入GO复合材料.FTIR分析显示,P(An-co-oAs)的N-H基团与GO片层中的C=O基团存在着氢键作用.XRD和TEM分析表明,P(An-co-oAs)/GO保持良好的层状结构,且随着P(An-co-oAs)含量的增加,复合材料的层间距不断扩大.P(An-co-oAs)的插入,使得复合材料的室温电导率比GO提高2-3个数量级.同时发现,增加P(An-co-oAs)的含量,不仅提高了GO的电化学活性,也改善了GO的锂离子嵌入/脱嵌的循环稳定性.

参考文献

[1] Wu C G,DeGroo D C,Marcy H O.Chem.Mater,1996,8(8):1992-2004.
[2] Leroux F,Coward G,Power W P.J.Electrochem.Soc.,1997,144(11):3886-3895.
[3] Wu C G,DeGroot D C,Marcy H O,et al.J.Am.Chem.Soc.,1995,117(12):9229-9242.
[4] Huguenin F,dos Santos D S,Bassi A,et al.Adv.Funct.Mater.,2004,14(10):985-991.
[5] Li Z F,Ruckenstein E.Langmuir,2002,18(18):6956-6961.
[6] Huguenin F,Torresi R M,Buttry D A.J.Electrochem.Soc.,2002,149(5):A546-553.
[7] Zhao J,Wang G C,Li X W,et al.J.Appl.Polym.Sci.,2007,103(4):2569-2574.
[8] Higashika S,Kimura K,Matsuo Y,et al.Carbon,1999,37(2):351-358.
[9] Liu Z H,Wang Z M,Yang X,et al.Langmuir,2002,18(12):4926-4932.
[10] Liu P,Gong K,Xiso P,et al.J.Mater.Chem.,2000,10(4):933-935.
[11] Matsuo Y,Hatase K,Sugie Y.Chem.Mater.,1998,10(8):2266-2269.
[12] 刘平桂,龚克成.高分子学报,2000,(4):492-495.
[13] Cassagneau T,Fendler J H.Adv.Mater.,1998,10(11):877-881.
[14] Wang G c,Yang Z Y,Li X W,et al.Carbon,2005,43(12):2564-2570.
[15] Cao Y,Andriatta A,Heeger A J,et al.Polymer,1989,30(12):2305-2311.
[16] Hummers W S,Offeman R E.J.Am.Chem.Soc.1958,80(B):1339.
[17] Sasaki T,Watanabe M.J.Am.Uhem.Soc.,1998,120(19):4682-4689.
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