以氧化石墨(GO)为主体,苯胺-邻甲氧基苯胺导电共聚物(P(An-co-oAs))为客体,采用剥离/重新组装技术合成出P(An-co-oAs)嵌入GO复合材料.FTIR分析显示,P(An-co-oAs)的N-H基团与GO片层中的C=O基团存在着氢键作用.XRD和TEM分析表明,P(An-co-oAs)/GO保持良好的层状结构,且随着P(An-co-oAs)含量的增加,复合材料的层间距不断扩大.P(An-co-oAs)的插入,使得复合材料的室温电导率比GO提高2-3个数量级.同时发现,增加P(An-co-oAs)的含量,不仅提高了GO的电化学活性,也改善了GO的锂离子嵌入/脱嵌的循环稳定性.
参考文献
[1] | Wu C G,DeGroo D C,Marcy H O.Chem.Mater,1996,8(8):1992-2004. |
[2] | Leroux F,Coward G,Power W P.J.Electrochem.Soc.,1997,144(11):3886-3895. |
[3] | Wu C G,DeGroot D C,Marcy H O,et al.J.Am.Chem.Soc.,1995,117(12):9229-9242. |
[4] | Huguenin F,dos Santos D S,Bassi A,et al.Adv.Funct.Mater.,2004,14(10):985-991. |
[5] | Li Z F,Ruckenstein E.Langmuir,2002,18(18):6956-6961. |
[6] | Huguenin F,Torresi R M,Buttry D A.J.Electrochem.Soc.,2002,149(5):A546-553. |
[7] | Zhao J,Wang G C,Li X W,et al.J.Appl.Polym.Sci.,2007,103(4):2569-2574. |
[8] | Higashika S,Kimura K,Matsuo Y,et al.Carbon,1999,37(2):351-358. |
[9] | Liu Z H,Wang Z M,Yang X,et al.Langmuir,2002,18(12):4926-4932. |
[10] | Liu P,Gong K,Xiso P,et al.J.Mater.Chem.,2000,10(4):933-935. |
[11] | Matsuo Y,Hatase K,Sugie Y.Chem.Mater.,1998,10(8):2266-2269. |
[12] | 刘平桂,龚克成.高分子学报,2000,(4):492-495. |
[13] | Cassagneau T,Fendler J H.Adv.Mater.,1998,10(11):877-881. |
[14] | Wang G c,Yang Z Y,Li X W,et al.Carbon,2005,43(12):2564-2570. |
[15] | Cao Y,Andriatta A,Heeger A J,et al.Polymer,1989,30(12):2305-2311. |
[16] | Hummers W S,Offeman R E.J.Am.Chem.Soc.1958,80(B):1339. |
[17] | Sasaki T,Watanabe M.J.Am.Uhem.Soc.,1998,120(19):4682-4689. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%