以氧化镓为镓源,用溶胶.凝胶和高温氨化二步法,在Si(111)衬底上制备出GaN薄膜. x射线衍射(XRD)分析表明制备的GaN薄膜是六角纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)图片显示GaN晶粒的尺寸＜100nm;薄膜的红外光谱(FTIR)中有GaN的E1(TO)声子模式.用密度泛函理论(DFT)计算了氮化镓小团簇的振动频率.结果表明,富镓氮化镓团簇的振动频率在六方晶系纤锌矿结构CaN的光学声子峰值附近;富氮氮化镓团簇中的N-N键的振动频率为2200cm-1.用氮化镓团簇的频谱对所制薄膜的红外光谱作了进一步分析.
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