受主掺杂BaPbO3中的非化学计量比

无机材料学报, 2007, 22(5): 811-815. doi: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.008

受主掺杂BaPbO3中的非化学计量比

陆裕东 ^1, , 王歆 ^2, , 庄志强 ^3, , 刘保岭 ^4, , 刘勇 ^5,

1.华南理工大学,材料学院,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

2.华南理工大学,材料学院,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

3.华南理工大学,材料学院,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

4.华南理工大学,材料学院,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

5.华南理工大学,材料学院,特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州,510640

基金项目: 广东省自然科学基金(033177)

关键词： BaPbO3 , 缺陷化学 , 非化学计量比 , 受主

Nonstoichiometry in Acceptor-doped BaPbO3

采用高温平衡电导法测定了高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,由此确定了未掺杂和Al受主掺杂BaPbO3陶瓷多晶体中的主导缺陷及其电荷补偿缺陷.同时讨论了受主掺杂浓度对材料的高温平衡电导率、高氧分压和低氧分压下主导缺陷转变点的影响,确定了受主掺杂BaPbO3缺陷行为随掺杂量的变化机理.在高氧分压下,材料表现出本征缺陷行为,Pb离子空位占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷控制区域进入非本征缺陷控制区域,受主杂质取代Pb离子空位占主导;在低氧分压区域,随着氧离子空位浓度的上升,氧离子空位取代空穴,成为受主杂质的电荷补偿缺陷.

参考文献

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