研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学,微波烧结温度从900～1200 ℃,保温时间从20min～2h.研究表明,微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别;微波烧结有助于样品的致密化,并降低致密化温度.随着烧结温度的升高,致密化和反致密化作用共同影响样品的密度,其中Bi的挥发是主要影响因素.微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3.4,生长激活能为225kJ/mol,传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6～4.2,生长激活能为363kJ/mol.液相Bi2O3、尖晶石相和微波的"非热效应"是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
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