掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性

无机材料学报, 2007, 22(6): 1056-1060. doi: 10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.007

掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性

刘爱萍 ^1, , 朱嘉琦 ^2, , 韩杰才 ^3, , 韩潇 ^4, , 吴化平 ^5,

1.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001

基金项目: 国家自然科学基金(50602012)

关键词：过滤阴极真空电弧 , 掺磷四面体非晶碳 , 电极 , 伏安行为

Electrochemical Properties of Phosphorus Incorporated Tetrahedral Amorphous Carbon Film Electrode

采用过滤阴极真空电弧技术,以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜.利用X射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征薄膜的成分和结构,采用循环伏安和微分脉冲伏安分析薄膜的电化学行为.结果表明,磷的掺入没有引起薄膜非晶结构的明显变化,只是促进了sp2杂化碳原子的团簇.经过酸预处理的ta-C:P薄膜在硫酸溶液中有宽的电势窗口和低的背景电流;对Cl-有催化活性;薄膜表面电子传输速度快;对水溶液中Cu2+和Cd2+有检测活性.因此具有良好导电性的ta-C:P薄膜适于作为电极并有望用于污水中重金属离子的分析检测等领域.

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