研究了Ti、TiH2等活性填料在聚碳硅烷先驱体裂解制备SiC陶瓷材料中的应用.Ti、TiH2等可增加聚碳硅烷的裂解陶瓷产率,可与N2气氛反应生成氮化物,导致体积膨胀而降低陶瓷的气孔率,提高材料性能.
参考文献
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