用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相,其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现,升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降;当热处理温度超过400℃时,Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善.在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰,一价氧空位(Vo)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.
参考文献
| [1] | G.Chakhovskoi, W.D.Kesling, J.T.Trujillo, C.E.Hunt, J.Vac. Sci. Technol., B12, 785(1994) |
| [2] | J.S.Yoo, B.S.Jeon, S.W.Kang, J.D.Lee, 9th International Vacuum Microelectronic Conference, St. Petersburg, 562(1996) |
| [3] | A.Vecht, D.W.Smith, S.S.Chadha, C.S.Gibbons, J.Koh, D.Morton, J.Vac.Sci.Technol., B12, 781(1994) |
| [4] | K.Vanheusden, W.L.Warren, C.H.Seager, D.R.Tallant, J.A.Voigt, B.E.Gnade, J.Appl. Phys., 79, 7983(1996) |
| [5] | S.Jeon, J.S.Yoo, J.D.Lee, J.Electrochem. Soc., 143, 3923(1996) |
| [6] | E.T.Goldburt, V.A.Bolchouchine, B.N.Levonovitch, N.P.Sochtine, J.Vac. Sci.Technol., B17,765(1999) |
| [7] | C.E.Hunt, A.G.Chaknovskoi, J.Vac. Sci. Technol., B15, 516(1997) |
| [8] | K.Haga, F.Katahira, H.Watanabe, Thin Solid Films, 343, 145(1999) |
| [9] | M.Wraback, H.Shen, S.Liang, C.R.Goria, Y.Lu, Appl. Phys. Lett., 74, 507(1999) |
| [10] | E.M.Bachari, G.Baud, S.Ben Amor, M.Jacquet, Thin Solid Films, 165, 145(1999) |
| [11] | L.N.Dinh, M.A.Schildbach, M.Balooch, W.Mclean II, J.Appl. Phys., 86, 1149(1999) |
| [12] | S.A.Studenikin, N.Gelego, M.Cocivera, J.Appl. Phys., 83, 2104(1998) |
| [13] | Y.H.Lee, M.H.Song, B.K.Ju, D.K.Shin, M.H.Oh, J.Vac. Sci.Technol., B15, 512(1997) |
| [14] | A.Vecht, D.W.Smith, J.SID 5/2, 151(1997) |
| [15] | P.H.Holloway, T.A.Trottier, B.Abrams, C.Kondoleon, S.L.Sebastian, W.J.Thomes, J.Vac. Sci. Technol., B17,758(1999) |
| [16] | Y.D.Bondor, M.Ya. Grytsiv, A.S.Groodzinsky, M.Ya. Vasyliv, A.G.Chakhovskoi, C.E.Hunt, M.E.Malinowski,T.E.Felter, J.Electrochem. Soc., 144, 704(1997) |
| [17] | S.L.Jones, D.Kumar, R.K.Singh, P.H.Holloway, Appl.Phys. Lett., 71, 404(1997) |
| [18] | K.G.Cho, D.Kumar, D.G.Lee, S.L.Jones, P.H.Holloway, R.K.Singh, Appl. Phys. Lett., 71, 3335(1997) |
| [19] | K.Vanheusden, C.H.Seager, W.L.Warren, D.R.Tallant, J.A.Voigt, Appl. Phys. Lett., 68, 403(1996) |
| [20] | M.Liu, A.H.Kitai, P.Mascher, J.Luminescence, 54, 35(1992) |
| [21] | K.Vanheusden, C.H.Seager, W.L.Warren, D.R.Tallant, J.Caruso, M.J.Hampden-Smith, T.T.Kodas,J.Luminescence, 775, 11(1997) |
| [22] | Y.Sato, S.Sato, Thin Solid Films, 281,445(1996) |
| [23] | Bao, H.Gu, A.Kuang, Thin Solid Films, 312, 37(1998) |
| [24] | J.Kim, Y.H.Jeong, K.D.Kim, S.G.Kang, K.G.Lee, J.I.Han, Y.K.Park, K.I.Cho, J.Vac. Sci.Technol., B16,1239(1998) |
| [25] | A.Gladyshchuk, A.L.Gurskii, V.A.Nikitenko, V.V.Parashchuk, L.N.Tvoronovich, G.P.Yablonskii,J.Luminescence, 42, 49(1988) |
| [26] | J.Hsieh, K.T.Chu, C.F.Yu, M.S.Feng, J.Appl. Phys., 76, 3735(1994) |
| [27] | Y.Qu, T.A.Gessert, T.J.Coutts, P.Noufi, J.Vac. Sci. Technol., A12, 1507(1994) |
| [28] | Srikant, D.R.Clarke, J.Appl. Phys., 83, 5447(1998) |
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