用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

材料研究学报, 2001, 15(4): 451-454. doi: 10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.013

用电共沉积方法制备InGaAs薄膜

王喜莲 ^1, , 李浴春 ^2, , 韩爱珍 ^3, , 高元恺 ^4, , 杨志伟 ^5,

1.哈尔滨工业大学

2.哈尔滨工业大学

3.哈尔滨工业大学

4.哈尔滨工业大学

5.山东大学

基金项目: 航天工业总公司资助项目

关键词： InGaAs薄膜 , 电共沉积

PREPARATION AND PERFORMANCE OF InGaAs THIN FILM BY ELECTRODEPOSIT

用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大.InGaAs薄膜的发射光波长为1.3～1.5μm.

参考文献

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