用电阻法研究了预应变对Ti51Ni49(原子分数)薄膜相变温度及相变热滞后的影响,结果表明;TiNi薄膜马氏体态预变形后,第一次逆相变开始温度Adg随预应变量的增大而升高,而第一次马氏体相变温度Ms和第二次逆相变开始温度As的变化与预应变量(εd)相关:当εd＜5%时,Ms和As几乎保持预变形前的温度值,而当εd＞5%时,Ms和As随εd的增大而升高;预应变后TiNi薄膜的相变热滞(Adg-Ms)也随εd的增加而增大,但当εd＞5%时,其值开始减小预变形引起Ti51Ni49薄膜的相变温度和热滞的变化与弹性应变能的变化及位错有关.
参考文献
| [1] | A.P.Lee, D.R.Ciarlo, P.A.Krulevitch, S.Lehew, J.Trevino, M.A.Northrup, Sensor and Actuators A 54, 755(1996) |
| [2] | E.Makino, M.Uenoyama, T.Shibata, Sensors and Actuators A 71, 187(1998) |
| [3] | J.D.Busch, A.D.Johnson, J.Appl. Phys., 68(12) 6224(1990) |
| [4] | A.Ishida, A.Takei, S.Miyazaki, Mater. Thin Solid Films, 228, 210(1993) |
| [5] | H.B.Luo, F.L.Shan, Y.L.Huo, Y.M.Wang, Thin Solid Films, 339, 305(1999) |
| [6] | A.Ishida, M.Sato, A.Takei, S.Miyazaki, Materials Transactions, JIM, 36(11), 1349(1995) |
| [7] | A.Ishida, M.Sato, A.Takei, K.Nomura, S.Miyazaki, Metallurgical and Materials Transactions A 27A,3753(1996) |
| [8] | M.Piao, K.Otsuka, S.Miyazaka, H.Horikawa, Materials Transactions, JIM, 34(10), 919(1993) |
| [9] | H.C.Lin, S.K.Wu, J.C.Lin, Materials Chemistry and Physics, 37, 184(1994) |
| [10] | K.Nomura, S.Miyazaki, A.Ishida, Journal De Physique, 5, C8-695(1995) |
| [11] | Y.Liu, Z.L.Xie, J.Van Humbeeck, L.Delaey, Acta Material, 47(2), 645(1999) |
| [12] | Y.Liu, Materials Science and Engineering A 273, 668(1999) |
| [13] | Y.N.Liu, Y.Liu, J.Van Humbeeck, Acta. Mater., 47, 199(1999) |
| [14] | Y.N.Liu, D.Favier, Acta. Mater., 483, 489(2000) |
| [15] | Y.Liu, Z.Xie, J.Van Humbeeck, L.Delaey, Scripta Mater., 41, 1273(1999) |
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