用溶胶凝胶法制备了Ti1-xVxO2薄膜.用X射线衍射分析了Ti1-xvxO2的结晶性能.用Lambda紫外-可见光光度计测量了吸收光谱.用ZC36高阻仪测量了 Ti1-xVxO2薄膜样品的电性能.结果表明:钒含量的增加导致Ti1-xVxO2薄膜光学吸收限红移,在形成固溶体后薄膜的电阻率随钒含量增加而下降在x=0.15时.V2O5相的出现使Ti1-xVxO2薄膜的电阻率出现-峰值Ti1-xVxO2薄膜电阻率的这种变化规律是由于V的3d电子的引入和薄膜结晶性的变化
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