硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

材料研究学报, 2002, 16(2): 164-167. doi: 10.3321/j.issn:1005-3093.2002.02.010

硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的特性

刘启明 ^1, , 赵修建 ^2, , 顾玉宗 ^3, , 黄明举 ^4, , 顾冬红 ^5, , 干福熹 ^6,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室

2.武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室

3.中国科学院上海光学精密机械研究所

4.中国科学院上海光学精密机械研究所

5.中国科学院上海光学精密机械研究所

6.中国科学院上海光学精密机械研究所

关键词： Ge As-S 体系块体玻璃与PLD薄膜

PROPERTIES OF Ge-As-S CHALCOGENIDE AMORPHOUS SEMICONDUCTOR

用差热分析、X射线衍射分析和透射光谱分析等于段研究了硫系Ge-As-S玻璃和薄膜的性能结果表明.Ge As-S体系的成玻能力较强.在空气中自然冷却就能成玻.其(Tg-Tc)/Tg值为0.127～0.289.经激光辐照后的Ge-As-S玻璃薄膜的透射光谱曲线向短波方向移动.且平移的大小随激光功率的增加而增加薄膜的透射光谱线的平移表明激光辐照导致薄膜光致结构变化.利用电子束辐射极化.通过Maker条纹测试方法在Ge-As-S玻璃中观察到二次谐波.

参考文献

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