使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性.结果表明:在小型硅Cz炉中,晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率;安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型,Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面,使晶体中氧浓度降低.
参考文献
| [1] | N.Kobayashi, J. Crystal Growth, 108, 240(1991) |
| [2] | K.Kakimoto, K.W.Yi, M.Eguchi, J. Crystal Growth, 163, 238(1996) |
| [3] | K.W.Yi, K.Kakimoto, M.Eguchi, H.Noguchi, J. Crystal Growth, 165, 358(1996) |
| [4] | M.Watanabe, K.W.Yi, T.Hibiya, K.Kakimoto, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 38, 215(1999) |
| [5] | N.Machida, Y.Suzuki, K.Abe, N.Ono, M.Kida, Y.Shimizu, J. Crystal Growth, 186, 362(1998) |
| [6] | N.Machida, K.Hoshikawa, Y.Shimizu, J. Crystal Growth, 210, 532(2000) |
| [7] | LI Yourong, RUAN Dengfang, PENG Lan, WU Shuangying, Chinese Journal of Materials Research, 18(2),212(2004)(李友荣,阮登芳,彭岚,吴双应,材料研究学报,18(2),212(2004)) |
| [8] | D.E.Bornside, R.A.Brown, T.Fujiwara, H.Fujiwara, T.Kubo, J. Electrochem. Soc., 142, 2790(1995) |
| [9] | T.J.R.Hughes, A.N.Brooks, Finite Elements in Fluids, 4, 47(1982) |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%