测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降.
参考文献
[1] | Yu.L.Khait,J.Salzman,R.Beserman,Appl.Phys.Lett.,53(22),28(1988) |
[2] | T.Egawa,H.Ishikawa,M.Umeno,Appl.Phys.Lett.,69(6),5(1996) |
[3] | G.Meneghesso,S.Levada,E.Zanoni,S.Podda,G.Mura,M.Vanzi,A.Cavallini,A.Castaldini,S.Du,I.Eliashevich,Phys.Stat.Sol.,(a) 194(2),389(2002) |
[4] | N.Narendran,Y.Gu,J.P.Freyssinier,H.Yu,L.Deng,Journal of Crystal Growth,268,449(2004) |
[5] | T.Deguchi,T.A.Azuhata,T.Sota,S.Chichibu S.Nakamura,Mater.Sci.and Eng.B 50,251(1997) |
[6] | Kow-Ming Chang,Jiunn-Yi Chu,Chao-Chen Cheng IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,16(8),1807(2004) |
[7] | X.A.Cao,E.B.Stokes,P.M.Stodvik member,IEEE S.F.LeBoeuf,J.Kretchmer,D.Walker,IEEE Elector Device Letter,23(9),535(2002) |
[8] | SHI Min,Semconductor Dvices Physics and Technology,Translated by ZHAO Heming,QIAN Min and HUANG Qiuping (Suzhou,The press of Suzhou University,2002) p.109(施敏,半导体器件物理与工艺(美)赵鹤鸣,钱敏,黄秋萍译(苏州,苏州大学出版社,2002)p.109) |
[9] | A.R.Riben,D.L.Feucht,Solid-State Electron,9,1055(1966) |
[10] | S.R.Forrest,M.Didomernico Jr.,R.G.Smith,H.J.Stocker,Appl.Phys.Lett.,36,580(1980) |
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